第一章　芯片技術(shù)相關(guān)概述
1.1　芯片技術(shù)概念闡釋
1.1.1　芯片技術(shù)概述
1.1.2　芯片架構(gòu)概述
1.2　芯片技術(shù)相關(guān)介紹
1.2.1　芯片技術(shù)特性
1.2.2　芯片技術(shù)壟斷
第二章　2022-2024年國內(nèi)外芯片技術(shù)發(fā)展綜況
2.1　全球芯片技術(shù)發(fā)展綜述
2.1.1　全球芯片技術(shù)前沿
2.1.2　全球技術(shù)創(chuàng)新趨勢
2.1.3　全球下一代芯片技術(shù)
2.2　中國芯片技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
2.2.1　芯片技術(shù)設備封鎖
2.2.2　芯片技術(shù)突破創(chuàng)新
2.2.3　芯片技術(shù)發(fā)展制約
2.3　芯片技術(shù)專利申請狀況
2.3.1　2023年芯片行業(yè)專利申請概況
2.3.2　2023年芯片行業(yè)專利技術(shù)構(gòu)成
2.3.3　2023年芯片行業(yè)專利申請人分析
2.3.4　2023年芯片行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新熱點
第三章　2022-2024年芯片設計領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展狀況分析
3.1　中國芯片設計領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展分析
3.1.1　技術(shù)基本流程
3.1.2　技術(shù)發(fā)展階段
3.1.3　技術(shù)發(fā)展意義
3.1.4　技術(shù)參與主體
3.1.5　技術(shù)壟斷優(yōu)勢
3.1.6　技術(shù)發(fā)展效益
3.2　芯片架構(gòu)設計技術(shù)發(fā)展分析
3.2.1　技術(shù)設計原則
3.2.2　技術(shù)應用分類
3.2.3　技術(shù)支持工具
3.2.4　技術(shù)發(fā)展階段
3.2.5　技術(shù)發(fā)展進程
3.2.6　技術(shù)發(fā)展意義
3.3　芯片EDA技術(shù)發(fā)展分析
3.3.1　技術(shù)發(fā)展歷程
3.3.2　技術(shù)應用領(lǐng)域
3.3.3　技術(shù)發(fā)展意義
3.3.4　技術(shù)發(fā)展特點
3.3.5　技術(shù)發(fā)展進程
3.3.6　技術(shù)發(fā)展效益
第四章　2022-2024年芯片制造領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展狀況分析
4.1　中國芯片制造領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展分析
4.1.1　技術(shù)發(fā)展歷程
4.1.2　技術(shù)發(fā)展規(guī)律
4.1.3　技術(shù)發(fā)展邏輯
4.1.4　技術(shù)發(fā)展綜況
4.1.5　技術(shù)發(fā)展進程
4.1.6　技術(shù)發(fā)展阻礙
4.2　晶圓制備技術(shù)發(fā)展分析
4.2.1　技術(shù)發(fā)展歷程
4.2.2　技術(shù)發(fā)展階段
4.2.3　技術(shù)發(fā)展意義
4.2.4　技術(shù)發(fā)展綜況
4.2.5　技術(shù)發(fā)展進程
4.2.6　技術(shù)發(fā)展效益
4.3　氧化技術(shù)發(fā)展分析
4.3.1　技術(shù)的發(fā)展分類
4.3.2　技術(shù)發(fā)展意義
4.3.3　技術(shù)發(fā)展綜況
4.3.4　技術(shù)應用發(fā)展
4.4　光刻技術(shù)發(fā)展分析
4.4.1　技術(shù)發(fā)展歷程
4.4.2　技術(shù)發(fā)展階段
4.4.3　技術(shù)發(fā)展意義
4.4.4　技術(shù)發(fā)展綜況
4.4.5　技術(shù)發(fā)展進程
4.4.6　技術(shù)發(fā)展效益
第五章　2022-2024年芯片封裝領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展狀況分析
5.1　中國芯片封裝領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展分析
5.1.1　技術(shù)發(fā)展歷程
5.1.2　技術(shù)發(fā)展意義
5.1.3　技術(shù)發(fā)展綜況
5.1.4　技術(shù)等級劃分
5.1.5　技術(shù)功能作用
5.1.6　技術(shù)發(fā)展效益
5.2　先進封裝技術(shù)發(fā)展分析
5.2.1　技術(shù)發(fā)展歷程
5.2.2　技術(shù)發(fā)展重點
5.2.3　技術(shù)發(fā)展類型
5.2.4　技術(shù)發(fā)展進程
5.2.5　技術(shù)發(fā)展前沿
5.2.6　技術(shù)發(fā)展問題
5.2.7　技術(shù)發(fā)展方向
5.3　傳統(tǒng)封裝技術(shù)發(fā)展分析
5.3.1　技術(shù)發(fā)展歷程
5.3.2　技術(shù)發(fā)展階段
5.3.3　技術(shù)發(fā)展比較
5.3.4　技術(shù)發(fā)展綜況
5.3.5　技術(shù)應用方向
5.3.6　技術(shù)發(fā)展效益
第六章　2022-2024年芯片測試領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展狀況分析
6.1　中國芯片測試領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展分析
6.1.1　技術(shù)發(fā)展綜況
6.1.2　技術(shù)階段分類
6.1.3　技術(shù)發(fā)展意義
6.1.4　技術(shù)發(fā)展進程
6.1.5　技術(shù)發(fā)展阻礙
6.1.6　技術(shù)發(fā)展效益
6.2　測試機技術(shù)發(fā)展分析
6.2.1　技術(shù)發(fā)展歷程
6.2.2　技術(shù)發(fā)展階段
6.2.3　技術(shù)發(fā)展意義
6.2.4　技術(shù)發(fā)展綜況
6.2.5　技術(shù)發(fā)展進程
6.2.6　技術(shù)發(fā)展效益
6.3　探針卡技術(shù)發(fā)展分析
6.3.1　技術(shù)發(fā)展綜況
6.3.2　技術(shù)發(fā)展階段
6.3.3　技術(shù)發(fā)展對比
6.3.4　技術(shù)發(fā)展進程
6.3.5　技術(shù)發(fā)展意義
6.3.6　技術(shù)發(fā)展效益
第七章　我國重點企業(yè)芯片技術(shù)戰(zhàn)略部署
7.1　紫光國芯微電子股份有限公司
7.1.1　企業(yè)發(fā)展概況分析
7.1.2　紫光國微技術(shù)發(fā)展歷程
7.1.3　紫光國微技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
7.1.4　紫光國微技術(shù)核心競爭力
7.1.5　紫光國微技術(shù)研發(fā)進程
7.1.6　紫光國微技術(shù)發(fā)展建議
7.1.7　紫光國微技術(shù)發(fā)展前景
7.2　中芯國際集成電路制造有限公司
7.2.1　企業(yè)發(fā)展概況分析
7.2.2　中芯國際技術(shù)發(fā)展歷程
7.2.3　中芯國際技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
7.2.4　中芯國際技術(shù)核心競爭力
7.2.5　中芯國際技術(shù)研發(fā)進程
7.2.6　中芯國際技術(shù)發(fā)展建議
7.2.7　中芯國際技術(shù)發(fā)展前景
7.3　華虹半導體有限公司
7.3.1　企業(yè)發(fā)展概況分析
7.3.2　華虹半導體技術(shù)發(fā)展歷程
7.3.3　華虹半導體技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
7.3.4　華虹半導體技術(shù)核心競爭力
7.3.5　華虹半導體技術(shù)研發(fā)進程
7.3.6　華虹半導體技術(shù)發(fā)展建議
7.3.7　華虹半導體技術(shù)發(fā)展前景
7.4　江蘇長電科技股份有限公司
7.4.1　企業(yè)發(fā)展概況分析
7.4.2　長電科技技術(shù)發(fā)展歷程
7.4.3　長電科技技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
7.4.4　長電科技技術(shù)核心競爭力
7.4.5　長電科技技術(shù)研發(fā)進程
7.4.6　長電科技技術(shù)發(fā)展建議
7.4.7　長電科技技術(shù)發(fā)展前景
第八章　芯片技術(shù)發(fā)展前景趨勢預測
8.1　芯片分類別技術(shù)趨勢
8.1.1　芯片技術(shù)發(fā)展趨勢
8.1.2　邏輯技術(shù)發(fā)展趨勢
8.1.3　存儲技術(shù)發(fā)展趨勢
8.1.4　集成技術(shù)發(fā)展趨勢
8.2　芯片分步驟技術(shù)趨勢
8.2.1　芯片設計技術(shù)發(fā)展趨勢
8.2.2　芯片制造技術(shù)發(fā)展趨勢
8.2.3　芯片封裝技術(shù)發(fā)展趨勢
8.2.4　芯片測試技術(shù)發(fā)展趨勢

圖表　2014-2023年芯片行業(yè)專利申請量、授權(quán)量及對應授權(quán)率數(shù)據(jù)表
圖表　2014-2023年芯片行業(yè)專利申請量、授權(quán)量及對應授權(quán)率走勢圖
圖表　2014-2023年芯片行業(yè)專利類型占比
圖表　截至2023年芯片行業(yè)專利審查時長
圖表　截至2023年芯片行業(yè)有效專利總量
圖表　截至2023年芯片行業(yè)審中專利總量
圖表　截至2023年芯片行業(yè)失效專利總量
圖表　截至2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域的專利在不同法律事件上的分布
圖表　芯片行業(yè)生命周期
圖表　2014-2023年芯片行業(yè)專利申請量與專利申請人數(shù)量
圖表　截至2023年芯片行業(yè)專利申請中國省市分布
圖表　截至2023年芯片行業(yè)專利申請在中國各省市申請量
圖表　截至2023年芯片行業(yè)主要技術(shù)分支的專利分布
圖表　2014-2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域在主要技術(shù)分支的專利申請變化情況
圖表　2014-2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域各技術(shù)分支內(nèi)領(lǐng)先申請人的分布情況
圖表　截至2023年芯片行業(yè)功效矩陣
圖表　截至2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域申請人的專利量排名情況
圖表　芯片行業(yè)專利集中度
圖表　芯片行業(yè)領(lǐng)域在主要技術(shù)方向上的新入局者
圖表　截至2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域合作申請分析
圖表　截至2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域主要申請人技術(shù)分析
圖表　2014-2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域主要申請人逐年專利申請量
圖表　截至2023年芯片行業(yè)創(chuàng)新熱點
圖表　截至2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域熱門技術(shù)專利量
圖表　芯片設計流程
圖表　現(xiàn)階段市場芯片架構(gòu)對比
圖表　芯片EDA技術(shù)發(fā)展歷程
圖表　EDA對集成電路設計和制造環(huán)節(jié)形成支撐
圖表　2000-2028年EDA技術(shù)可降低設計成本趨勢
圖表　全球主要晶圓廠制程節(jié)點技術(shù)路線
圖表　8英寸和12英寸硅片發(fā)展歷史
圖表　襯底晶圓材料對應尺寸
圖表　外延生長對應wafer尺寸
圖表　不同晶圓尺寸發(fā)展歷程
圖表　襯底制備的基本步驟
圖表　外延晶圓片結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　MBE與MOCVD技術(shù)對比
圖表　不同晶圓制造工藝示意圖
圖表　FinFET工藝七大玩家進展
圖表　氧化的種類
圖表　自由基氧化的特點
圖表　密勒指數(shù)（Miller indices）描述的硅原子排列
圖表　氧化物在晶圓表面的保護作用
圖表　干法氧化和濕法氧化
圖表　晶圓表面圖示
圖表　擴散遮蔽層
圖表　離子注入屏蔽氧化層
圖表　STI工藝中的襯墊氧化層和阻擋氧化層
圖表　光刻機技術(shù)發(fā)展進程
圖表　光刻機參數(shù)對比
圖表　光刻機工作原理
圖表　光刻步驟圖示
圖表　光刻的主要流程
圖表　封裝外型圖示
圖表　封裝方式發(fā)展歷程圖
圖表　封裝形式發(fā)展階段細分
圖表　BGA（ball grid array）封裝技術(shù)
圖表　COB（chip on board）封裝技術(shù)
圖表　DIP（dual in-line package）封裝技術(shù)
圖表　SDIP（shrink dual in-line package）封裝技術(shù)
圖表　flip-chip封裝技術(shù)
圖表　MCM（multi-chip module）封裝技術(shù)
圖表　QFP（quad flat package）封裝技術(shù)
圖表　BQFP（quad flat package with bumper）封裝技術(shù)
圖表　QFH（quad flat high package）封裝技術(shù)
圖表　CQFP（quad fiat package with guard ring）封裝技術(shù)
圖表　MQUAD（metal quad）封裝技術(shù)
圖表　Cerquad封裝技術(shù)
圖表　QFG（quad flat J-leaded package）封裝技術(shù)
圖表　QFN（quad flat non-leaded package）封裝技術(shù)
圖表　TCP（Tape Carrier Package）封裝技術(shù)
圖表　Tape Automated Bonding（TAB）封裝技術(shù)
圖表　PGA（pin grid array）封裝技術(shù)
圖表　LGA（land grid array）封裝技術(shù)
圖表　QUIP（quad in-line package）封裝技術(shù)
圖表　MFP（mini flat package）封裝技術(shù)
圖表　SIMM（single in-line memory module）封裝技術(shù)
圖表　DIMM（Dual Inline Memory Module）封裝技術(shù)
圖表　SIP（single in-line package）封裝技術(shù)
圖表　SMD（surface mount devices）封裝技術(shù)
圖表　SOJ（Small Out-Line J-Leaded Package）封裝技術(shù)
圖表　TO packageTO封裝技術(shù)
圖表　半導體芯片的封裝等級
圖表　半導體芯片封裝示例
圖表　半導體封裝的作用
圖表　先進封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢圖
圖表　Bumping工藝示意圖
圖表　重布線層技術(shù)示意圖
圖表　硅中介層技術(shù)示意圖
圖表　硅通孔技術(shù)示意圖
圖表　傳統(tǒng)封裝與晶圓級別封裝對比
圖表　3DIC與2.5D封裝對比
圖表　系統(tǒng)級封裝示意圖
圖表　Chiplet封裝示意圖
圖表　長電科技封裝項目
圖表　華天科技封裝技術(shù)項目
圖表　富通微電封裝技術(shù)項目
圖表　Amkor封裝解決方案
圖表　芯片良率與芯片面積的關(guān)系
圖表　芯片成本隨工藝節(jié)點微縮遞增
圖表　典型芯粒產(chǎn)品
圖表　TSV基本結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　臺積電CoWoS封裝技術(shù)路線
圖表　賽靈思FPGA CoWoS封裝
圖表　CEA-Leti96核處理器集成技術(shù)
圖表　英特爾Foveros技術(shù)
圖表　片外存儲從并排布局轉(zhuǎn)為三維堆疊
圖表　HBM架構(gòu)和封裝集成示意圖
圖表　臺積電InFO SoW技術(shù)
圖表　英偉達A100芯片與特斯拉Dojo訓練Tile主要性能指標對比
圖表　英特爾EMIB互連技術(shù)
圖表　鍵合技術(shù)的演進
圖表　AMD3D芯粒技術(shù)
圖表　臺積電SoIC-WoW混合鍵合技術(shù)
圖表　先進封裝技術(shù)兩個發(fā)展方向
圖表　傳統(tǒng)封裝技術(shù)演變
圖表　傳統(tǒng)封裝技術(shù)簡介
圖表　先進封裝與傳統(tǒng)封裝簡單對比
圖表　引線框架封裝和基板封裝的組裝步驟
圖表　晶圓背面研磨工藝的四個步驟
圖表　通過刀片切割工藝將晶圓切割成芯片
圖表　芯片貼裝工藝
圖表　芯片互連步驟示意圖
圖表　回流焊工藝的溫度曲線
圖表　封裝技術(shù)的在不同硬件設備的應用方向
圖表　IC測試基本原理模型
圖表　CP測試系統(tǒng)示意圖
圖表　測試機發(fā)展歷程
圖表　CP測試系統(tǒng)示意圖
圖表　測試機分類及介紹
圖表　光學檢測技術(shù)、電子束檢測技術(shù)和X光量測技術(shù)對比
圖表　三種檢測技術(shù)在檢測環(huán)節(jié)的具體應用情況
圖表　四類量測環(huán)節(jié)在產(chǎn)業(yè)鏈中的應
圖表　探針卡分類狀況
圖表　細分類型探針卡交貨期對比
圖表　圖探針卡結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　基于LTCC的MEMS探針卡的制作過程
圖表　通過Au/Sn共晶鍵合轉(zhuǎn)移到LTCC基板上的探針結(jié)構(gòu)
圖表　探針用陶瓷基板
圖表　圖晶圓測試示意圖
圖表　半導體晶圓測試的探針卡
圖表　紫光國微發(fā)展歷程
圖表　紫光國微產(chǎn)品矩陣
圖表　紫光國微技術(shù)發(fā)展歷程
圖表　紫光國微智能安全芯片主要產(chǎn)品
圖表　紫光國微特種集成電路產(chǎn)品系列
圖表　紫光國微FPGA產(chǎn)品系列
圖表　中芯國際業(yè)務圖
圖表　中芯國際發(fā)展歷程
圖表　全球主要晶圓廠制程節(jié)點技術(shù)路線圖
圖表　中芯國際工藝平臺及下游應用
圖表　中芯國際邏輯工藝技術(shù)平臺（成熟制程）
圖表　中芯國際特色工藝技術(shù)平臺
圖表　制程升級伴隨MOS結(jié)構(gòu)的升級
圖表　華虹半導體歷史沿革
圖表　華虹半導體工藝平臺
圖表　華虹半導體主要產(chǎn)品及服務變化情況
圖表　華虹半導體主要工藝平臺及具體情況
圖表　華虹半導體主要核心技術(shù)平臺情況
圖表　華虹半導體主要在研項目具體情況
圖表　長電科技主要業(yè)務情況
圖表　長電科技下游主要應用領(lǐng)域及優(yōu)勢
圖表　長電科技全球戰(zhàn)略布局
圖表　長電科技發(fā)展歷史
圖表　長電科技Chiplet平臺及解決方案—XDFOITM
圖表　截至2022年中國大陸頭部封測公司主要封裝產(chǎn)品對比
圖表　長電科技在各封裝領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢
圖表　長電科技封裝技術(shù)
圖表　長電科技Chiplet技術(shù)路徑
圖表　先進制程與先進封裝的技術(shù)迭代時間圖
圖表　后摩爾時代器件結(jié)構(gòu)演變
圖表　Fin FET與GAA NS器件結(jié)構(gòu)剖面示意圖
圖表　底層納米片串聯(lián)電阻示意圖
圖表　PTS和BDI防止底部寄生管漏電問題示意圖
圖表　GAA NS器件與Forksheet器件的對比示意圖
圖表　GAA NS器件與Forksheet器件的N/P間距示意圖
圖表　CFET結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　CFET中上下層器件金屬互連導致很大的通孔深寬比示意圖
圖表　單塊集成CFET的典型集成方法
圖表　順序集成CFET的典型方法
圖表　HBM示例圖
圖表　主流3D DRAM技術(shù)探索方向
圖表　PCH單元解決電阻漂移問題
圖表　基于垂直架構(gòu)的三維相變存儲器架構(gòu)
圖表　鐵電存儲器三維架構(gòu)的兩種實現(xiàn)方式
圖表　垂直3D RRAM架構(gòu)
圖表　基于RRAM的神經(jīng)網(wǎng)絡計算技術(shù)示意圖
圖表　X-Cube示例圖
圖表　集成電路封裝產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢
圖表　中國集成電路封裝產(chǎn)業(yè)前景預測

2025-2029年中國芯片技術(shù)發(fā)展?jié)摿Ψ治鰣蟾?/h3>

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